采用显微光学方案针对晶圆CP后的外观检测以及bump的3D量测
晶片上的图案通过电子束或光沿着管芯阵列被捕获,使用数字图像处理技术将被检芯片的图像和模板图像差值运算检测缺陷,如果被检测芯片没有缺陷则计算结果将为零;如果被检测晶片存在缺陷,则计算结果不为零,并将缺陷信息记录在图像中
设备参数:
项目 | 内容 |
Wafer Size | 8” &12 “ wafer |
Wafer Mapping | Sensor |
全检查检查时间 | 300 S |
检查项目 | 异物,粒子,划痕,裂缝,污染等缺陷 |
测量项目 | Bump,RDL,Pad,UBM,Via 的直径宽度,长度和位移 |
Wafer Cassettes | Standar Cassettes |
Wafer Aligner | Notch |
Wafer Transfer | Two-arm Robot |
Wafer Max Warpage | Up to 500 microns for 12” wafer |
Stage | 高精密吸附平台 |
Vision precision | 0.9μm/pixel |
洁净度 | ISO Class 1 |
O/S | Window 7 or 10 |
Wafer可检测缺陷类型介绍:
划痕损伤 暗域 破损 异物
Bump检测 Probe Mark检测 表面缺陷检测 PAD检测
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